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2025.03.12
存儲“芯”動力!思遠半導體DDR5及SSD PMIC亮相MemoryS 2025
   在全球存儲產業(yè)供需格局深度調整、AI技術驅動行業(yè)變革的背景下,“CFMS|MemoryS 2025”于3月12日在深圳前海JW萬豪酒店盛大舉行。本屆峰會以“存儲格局·價值重塑”為主題,匯聚全球存儲產業(yè)鏈領軍企業(yè),共探技術創(chuàng)新與產業(yè)升級路徑。

    近兩年,戰(zhàn)略性重點推出DDR5和SSD PMIC等產品的深圳市思遠半導體有限公司(以下簡稱“思遠半導體”)此次攜一系列存儲電源管理PMIC芯片及高精度溫度傳感器芯片亮相峰會,以自主創(chuàng)新的技術實力助力存儲產業(yè)鏈價值躍升。其中,高集成度的SY5881是一款針對固態(tài)硬盤、穿戴設備、移動設備及嵌入式計算平臺應用的電源管理芯片;支持超頻功能的SY5888是用于DDR5 SODIMM和UDIMM的PMIC,目前,SY5888已量產并獲得國內外知名大客戶的采購。作為第一個純國產研發(fā)并量產的廠家,思遠半導體為DDR5 PMIC國產化邁出關鍵一步,助力推動國內存儲器產業(yè)鏈的完善和自主可控能力的提升。

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—— 國產“芯”突破 ——

錨定價值賽道,賦能存儲自主化
    2025年被視為存儲產業(yè)轉型升級的關鍵節(jié)點,產業(yè)競爭核心正從規(guī)模轉向技術驅動的價值創(chuàng)造。思遠半導體深耕電源管理芯片領域十余年,以創(chuàng)新技術突破DDR5 PMIC等國產化技術瓶頸,以高精度、高集成度的產品矩陣為存儲設備及數(shù)據中心提供高效、穩(wěn)定的電源解決方案,推動國產存儲產業(yè)鏈邁向高端化與自主可控。
    作為國內首家實現(xiàn)DDR5 PMIC純自主研發(fā)并量產的企業(yè),近兩年來,思遠半導體累計芯片出貨量已突破15億顆,合作客戶包括三星、小米、OPPO、vivo等全球知名品牌,產品覆蓋智能穿戴、數(shù)據中心、新能源及存儲領域。此次參展,思遠半導體重點展示了DDR5 PMIC及SSD PMIC解決方案,凸顯國產芯片在存儲市場的技術話語權。

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—— 思遠“芯”產品 ——

存儲電源PMIC、高精度溫度傳感器引爆現(xiàn)場關注

(1)DDR5 PMIC:超頻性能與穩(wěn)定供電雙突破

    SY5888用于DDR5 SODIMM和UDIMM的PMIC,集成3個高效降壓DC-DC轉換器SWA/SWB/SWC和兩個LDO。支持內存條超頻至8000Mbps以上。兩個LDO為:VOUT1_1.8V / VOUT2_1.0V,分別給SPD集線器和溫度傳感器供電。
    SY5888提供FC-QFN-28(3mmx4mm)封裝,無鹵無鉛,符合RoHS標準。

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   SY5887用于DDR5 SODIMM和UDIMM的PMIC,滿足JESD301-2 V1.0.3規(guī)范,集成3個高效降壓DC-DC轉換器SWA/SWB/SWC和兩個LDO。兩個LDO VOUT1_1.8V/VOUT2_1.0V分別給SPD集線器和溫度傳感器供電。

    SY5887提供FC-QFN-28(3mmx4mm)封裝,無鹵無鉛,符合RoHS標準。

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(2)SSD、智能終端PMIC:小封裝、高集成,簡化設計

    SY5881是一款針對固態(tài)硬盤、穿戴設備、移動設備及嵌入式計算平臺應用的電源管理芯片。SY5881功率部分集成四個DC-DC轉換器和兩個線性調節(jié)器,可以最小化外部元件,從而簡化有限的PCB布局。DC-DC轉換器具有高精度、高效率和高靈活性。
    SY5881采用I2C接口對芯片寄存器操作并有8個GPIO可以靈活配置芯片的基礎功能。SY5881集成輸出過流、輸出過壓、輸出欠壓、短路、輸入過壓和過溫等故障保護。無鹵無鉛,符合RoHS標準,WLCSP-36 (2.4 mm x2.4 mm)封裝。

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   SY5882是一款針對固態(tài)硬盤、穿戴設備、移動設備及嵌入式計算平臺應用的電源管理芯片。SY5882功率部分集成三個DC-DC轉換器和兩個線性調節(jié)器,采用FCQFN 3mm*3mm封裝,增加散熱性能。

    SY5882通過I2C接口對芯片寄存器操作及3個可靈活配置的GPIO。SY5882集成輸出過流、輸出過壓、輸出欠壓、短路、輸入過壓和過溫等故障保護。無鹵無鉛,符合RoHS標準。

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(3)高精度溫度傳感器:精準監(jiān)測,守護存儲安全

    TS5110是一款高精度數(shù)字溫度計傳感器。采用6腳CSP封裝(0.85mmx1.35mm),完全符合 JEDEC JESD302-1標準。在-40°C至+125°C工作溫度范圍內,TS5110提供+/-0.25°C典型精度。
    TS5110可在1.0V I3C總線上達到12.5 MHz傳輸速度,或在1.0V至1.2V I2C總線上達到1MHz傳輸速度。當設備配置于I3C模式,支持帶內中斷及奇偶校驗跟包檢驗。

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 未來,思遠半導體將持續(xù)發(fā)力存儲領域,以更優(yōu)質的產品助力客戶應對高算力、高可靠性需求,為全球存儲產業(yè)價值重塑注入中國創(chuàng)新動能。

關于思遠半導體

    深圳市思遠半導體有限公司成立于2011年,專注高性能模擬芯片、 數(shù)模混合信號SoC芯片的創(chuàng)新設計,致力為智能穿戴、存儲、數(shù)據中心、新能源等行業(yè)提供領先的電源管理芯片。
    近兩年來,思遠半導體深耕智能穿戴產品市場,累計出貨量超過15億顆??蛻舭ㄈ恰s耀、小米、OPPO、一加、vivo、傳音、魅族、1MORE、Nothing等國內外知名品牌,服務全球數(shù)億消費者。同時,公司戰(zhàn)略性地重點推出DDR5和SSD的PMIC等產品,成為第一個純國產研發(fā)并量產的廠家,為DDR5 PMIC的國產化邁出關鍵一步,引領市場發(fā)展,助力推動國內存儲器產業(yè)鏈的完善 和自主可控能力的提升。
    思遠半導體總部在深圳,并在上海、成都、珠海設立了分支機構,研發(fā)團隊成員占比62%,分別畢業(yè)于香港科技大學、北京大學、浙江大學、電子科技大學等知名高校,碩士及以上學歷占比50%以上。憑借在電源管理系統(tǒng)芯片領域的深入研究和創(chuàng)新實力,思遠半導體2023年、2024年連續(xù)兩年斬獲52audio金音獎——年度電源芯片,同時,公司榮獲2023年創(chuàng)芯新銳獎、2022年中國模擬半導體優(yōu)秀企業(yè)獎、2022年中國IC風云榜“年度新銳公司獎”、2021第八屆中國IoT大會暨2021第六屆中國IoT創(chuàng)新獎,以及2021創(chuàng)“芯”藍海評獎成果秀AIoT卓越獎等。目前,公司已申請、獲得超200項自主知識產權。



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